内容简介：以SiC为衬底的InGaN材料，基本上是L型电极垂直结构(单电极型)LED。其抗静电电压机械模式达到600V以上，人体模式下高达 5000V(1000V),而一般以Al2O3衬底的LED器件通常是V型电极，其抗静电电压机械模式下仅为400V左右或者更 LED灯珠的抗静电指标高低取决于 LED发光芯片本身，与封装材料预计封装工艺基本无关，或者讲影响因素很小，很细微...
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