没有区别，只是叫法不同。1、LED芯片 一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。也称为led发光芯片，是led灯的
一、主体不同 1、LED芯片：也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。一种固态的半导体器件。2、灯珠：是发光二极管的英文缩写简称LED。3、晶元：是LED的核心部分，单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片
晶片为LED的主要原材料，晶片可以自由发光。芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P-N结，它可以直接把电转化为光。晶片的组成要有砷铝镓铟磷氮锶这几种元素中的若干种组成。芯片的组成由金垫、P极、N极、PN结、背金层
led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光. 二.led晶片的组成. 主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成. 三.led晶片的分类 1.按发光亮度分: A.一般
1、led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。2、led芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P-N结，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接
芯片与晶片区别：1、集成电路、或称微电路、 微芯片、芯片（在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称
原材料构造不同、组成不同。1、根据查询计算机网显示，晶片为LED的主要原材料，可以自由发光，芯片是一种固态的半导体器件，是一个PN结，可以直接把电转化为光。2、晶片由砷、铝、镓、铟、磷、氮、锶这几种元素中的若干
led 晶片和LED芯片有什么区别
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）的基本结构是一块电致发光的半导体材料，其核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是
LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往
1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源
LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压
LED的结构是什么
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。led芯片特点：(1)四元
LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 LED结构图如下图所示 发光
LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压
led发光原理：当电流通过晶片时，N型半导体内的电子与P型半导体内的空穴在发光层剧烈地碰撞复合产生光子，以光子的形式发出能量。Led灯是属于发光二极管，内部含有固态的半导体，能够将输入的半导体转变成为光能。另外，在led灯
简述最新高亮度蓝光LED芯片的结构和发光原理
这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的 蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）的基本结构是一块电致发光的半导体材料，其核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是
LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往
1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源
LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压
LED的结构是什么
高亮度蓝光LED芯片结构：发光原理：LED本身能发光，但波长较短，最长的就是蓝光了，也就是说，蓝光LED可以靠自身发出蓝光来实现。要发白光则需要在发蓝光的LED上涂发黄光的荧光粉。
led芯片的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个led芯片被环氧树脂封装起来。led芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把
其工作原理是利用电路内部的控制电路控制输出电流的大小，从而使LED灯产生不同亮度的输出。LED驱动芯片的电路设计一般由以下几个部分组成：1.输入电压控制：该部分负责稳定输入电压，并保证驱动芯片能够正常工作。2.控制电路：该
它的工作原理是将输入的电流转换成适合LED灯工作的电流和电压。具体来说，LED驱动芯片通常由两个部分组成：电源部分和控制部分。电源部分负责将输入的电压转换成适合LED灯工作的电压和电流，而控制部分则负责根据需要调整电流的
TLC5911是定位于高端市场的驱动芯片,具有1024级灰度、64级亮度可调、TSD、LOD等功能的16位源芯片。在TLC5921和TLC5930芯片下方有金属散热片,实际应用时要注意避开LED灯脚,否则会因漏电造成LED灯变暗。SONY产品一向定位于高端市场,LED驱动
LED芯片种类1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP。2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs。
LED芯片基本知识：一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的
led芯片知识的全面讲解
LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的 蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
发光二极管(led)的简单解释。，LED灯是如何工作的，LED工作原理动画。原标题：Light Emitting Diode (LED) Working Principle原作者：Electrical4U侵删～
发光二极管(led)的简单解释。，LED灯是如何工作的，LED工作原理动画。原标题：Light Emitting Diode (LED) Working Principle原作者：Electrical4U侵删～
当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳
led晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光. 二.led晶片的组成. 主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成. 三.led晶片的分类 1.按发光亮度分: A.一般亮度:R、H、G、Y、E等. B.高亮度:VG、VY、SR等 C.超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等 D.不可见光(红外线):IR、SIR、VIR、HIR E.红外线接收管:PT F.光电管: PD 2.按组成元素分: A.二元晶片(磷、镓):H、G等 B.三元晶片（磷、镓、砷）:SR、HR、UR等 C.四元晶片(磷、铝、镓、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG 四.led晶片特性表(详见下表介绍) led晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm) SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595 SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP610 DBK较亮蓝色GaunN/Gan470 HE超亮桔色AlGalnP 620 SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620 DGL较亮青绿色LnGaN/GaN505 URF最亮红色AlGalnP 630 DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635 PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655 SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660 G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660 VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660 UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697 Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850 VY较亮黄色GaAsP/GaP585 SIR红外线GaAlAs 880 UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940 UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940 五.注意事项及其它 1.led晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC) E.汉光(HL) F.AXT G.广稼 2.led晶片在生产使用过程中需注意静电防护 LED（Light Emitting Diode，发光二极）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
何来此问？？？？？？？？？
