led数码管常用段数一般为7段有的另加一个小数点，还有一种是类似于3位“+1”型。位数有半位，1，2，3，4，5，6，8，10位等等，led数码管根据LED的接法不同分为共阴和共阳两类，了解LED的这些特性，对编程是
根据内部二极管连接方式，LED数码管在结构上又分为共阴极型和共阳极型两种。共阴极型内部发光二极管阴极连在一起，接低电平；共阳极型内部发光二极管阳极连在一起，接高电平。
LED数码管可以根据其显示方式分为七段式和共阴极式两种。在七段式LED数码管中，每个数字都有七个LED分别对应着数字的每一段，而在共阴极式LED数码管中，每个数字都有一个整体的显示区域。
led数码管（LED Segment Displays）由多个发光二极管封装在一起组成“8”字型的器件，引线已在内部连接完成，只需引出它们的各个笔划，公共电极。数码管实际上是由七个发光管组成8字形构成的，加上小数点就是8个。
LED数码管有哪两种结构?是如何实现的?
LED封装方式有很多种，常用的方式有DIP封装、SMD封装、COB封装等。DIP封装较为落后，封装体积大，但价格便宜。SMD封装结构简单，封装高度低，适合小功率LED，但较难进行散热。COB封装是一种分布式封装技术，可以将多个芯片封装
1.传统的直插式小功率LED、流明式的大功率LED，都是透镜式封装的。LED发光的正面是类似半圆形的结构。2.为了简化封装工艺，目前很多贴片式的LED，都是直接用胶水把LED封装成平面式的结构。这一类型，统称为TOP LED。
LED的封装方式主要有以下方式：1.引脚式（Lamp）LED封装；2.表面组装（贴片）式（SMT－LED）封装；3.板上芯片直装式（COB）LED封装；4.系统封装式（SiP）LED封装；
2、表面组装（贴片）式（SMT－LED）封装,3、板上芯片直装式（COB）LED封装,4、系统封装式（SiP）LED封装5. 晶片键合和芯片键合.
LED灯珠通常是以封装形式来分类的。一般可分为：直插式，SMD贴片式，大功率LED(它们功率及电流使用皆不相同，且光电参数相差甚巨,规格多样)。1、直插式小功率规格有：草帽/钢盔，圆头，内凹，椭圆，方型（2*3*4）子弹头
蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极
二、欧司朗led封装结构的类型 1、有根据发光颜色、芯片材料、发光亮度、尺寸大小等情况特征来分类的。2、单个管芯一般构成点光源，多个管芯组装一般可构成面光源和线光源，作信息、状态指示及显示用，发光显示器也是用多个管芯
LED封装技术的结构类型
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）的基本结构是一块电致发光的半导体材料，其核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是
emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型
LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂
LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压
1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源
LED芯片结构：（由下到上）1、Patternsapphiresubstrate(PSS)2、u-gan 3、n-gan 4、mqw 5、p-algan 6、p-gan 发光原理是：发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，在p型半导体和n型半导体之间有一
LED的结构是什么
LED显示屏的组成成分：1、金属结构框架：户内屏一般由铝合金 角铝或铝方管 构成内框架，搭载显示板等各种电路板以及开关电源，外边框采用茶色铝合金方管，或铝合金包不锈钢，或钣金一体化制成。 户外屏框架根据屏体大小及承重
LED显示屏一般就是显示模组，磁铁，电源，控制系统发送卡，接收卡，以及模组线材，接收卡线材，电源线材。结构部分就是铝型材包边，铁方通。最后控制电脑，如需接外加设备，比如摄像机等，加一台视频处理器即可。以上配齐就可
LED 显示屏主要由以下几个部件组成:一、LED显示屏屏体，LED显示屏屏体是由单元箱体拼接而成的屏体，按标准包含了电源、风扇以及内部若干线材，全密封防水箱结构。我们平时说的LED显示屏价格多少钱一平方米，指的正是显示屏
1、金属结构框架,其作用是构成内框架，搭载显示单元板或模组等各种电路板以及开关电源 2、显示单元：是LED显示屏的主体部分，由LED灯及驱动电路构成。户内屏就是各种规格的单元显示板，户外屏就是模组箱体。3、扫描控制板：
LED显示屏主要由哪些部件组成?
将控制卡安放在支架最右边钢架位置，最长数据线接1针孔，次长接2针孔，最短接3针孔，接好COMS口接口线，拧紧螺丝 10.装显示屏 检查磁铁支脚是否拧紧，接线是否到位、正确，数据线是否插到位，特别注意显示屏的正负极（接错
15、显示卡和发送卡的安装：取下计算机机箱壳，按对应的插座安装LED 显示屏的显示卡和发送卡，并用螺丝固定，显示卡和发送卡之间用扁平线连接。16、接收卡的安装：在LED显示屏框架的右侧适当位置安装接收卡，并连接好供电电
1、镶嵌式安装:在室内,适用于面积较小室内屏。由于安装空间较小,为了不占用空间,根据屏体面积大小在墙体上挖出同样大小的面积,把LED显示屏嵌入墙体中。要求墙体为实心墙体。采用前维护的方式,成本较高。户外安装的话,镶装结
根据建筑物的建设条件、改造条件以及建筑物高度通常将附属于建筑物的LED显示屏支撑结构分为壁挂式显示屏支撑结构和楼顶式显示屏支撑结构。壁挂式显示屏支撑结构多采用单层钢结构固定于主体结构侧面，内部设置检修通道。1.3楼顶式
施工设计LED显示屏支撑结构
LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂
LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压
1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源
LED芯片结构：（由下到上）1、Patternsapphiresubstrate(PSS)2、u-gan 3、n-gan 4、mqw 5、p-algan 6、p-gan 发光原理是：发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，在p型半导体和n型半导体之间有一
LED的结构是什么
LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的 蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
一、LED显示屏的主要构成(以较为复杂的同步全彩屏为例) 1、金属结构框架,其作用是构成内框架，搭载显示单元板或模组等各种电路板以及开关电源 2、显示单元：是LED显示屏的主体部分，由LED灯及驱动电路构成。户内屏就是各种规格的单元显示板，户外屏就是模组箱体。 3、扫描控制板：该电路板的功能是数据缓冲，产生各种扫描信号以及占空比灰度控制信号。 4、开关电源：将220V交流电变为各种直流电提供给各种电路。 5、传输电缆：主控仪产生的显示数据及各种控制信号由双绞线电缆传输至屏体。 6、主控制仪：将输入的RGB数字视频信号缓冲，灰度变换，重新组织，并产生各种控制信号。 7、专用显示卡及多媒体卡：除具有电脑显示卡的基本功能外还同时输出数字RGB信号及行，场，消隐等信号给主控仪。多媒体除以上功能外还可将输入的模拟Video信号变为数字RGB信号(即视频采集)。 8、电脑及其外设
1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。 2.电源电源一般使用的是开关电源，220V输入，5V直流输出。需要指出，由于LED电子显示屏属于精密电子设备，所以要采用开关电源，不能采用变压器。 3.控制卡 该卡可以断电保存信息，不需要连接PC都可以显示储存在里面的信息。 4.连线分为数据线，传输线，和电源线。数据线用于连接控制卡和LED单元板的排线，传输线用于连接控制卡和电脑。电源线，就是用来连接电源和控制卡，电源和LED单元板。连接单元板的电源线的铜芯直径不小于1mm(毫米)。 5.配件制作排线(数据线)制作 排线和电脑机箱里面的数据线类似，只是线的宽度有点差异。 拓展资料 LED显示屏（LED display）是一种平板显示器，由一个个小的LED模块面板组成，用来显示文字、图像、视频、录像信号等各种信息的设备。 LED ，发光二极管（light emitting diode缩写）。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，由镓（Ga）与砷（As）、磷（P）、氮（N）、铟（In）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，铟镓氮二极管发蓝光。
当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳
LED灯珠通常是以封装形式来分类的。一般可分为：直插式，SMD贴片式，大功率LED(它们功率及电流使用皆不相同，且光电参数相差甚巨,规格多样)。 1、直插式小功率规格有：草帽/钢盔，圆头，内凹，椭圆，方型（2*3*4）子弹头，平头，（3/5/平头/面包型）食人鱼等。 2、SMD贴片一般分为（3020/3528/5050这些是正面发光）/1016/1024等这些是侧面发光光源。 3、大功率LED，单颗大功率LED光源如未加散热底座（一般为六角形铝质座），它的外观与普通贴片无太大差距，大功率LED光源呈圆形，封装方式基本与SMD贴片相同，但与SMD贴片在使用条件/环境/效果等都有着本质上的区别。 现在市场上也出现了集成LED光源，也就是通常说的COB光源。COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，因此工序减少近三分之一，成本也节约了三分之一。COB光源可以简单理解为高功率集成面光源，可以根据产品外形结构设计光源的出光面积和外形尺寸。如下图
二、封装工艺 1. LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好led芯片，并且起到提高光取出效率的作用 。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策 和出光效果。按封装形式分类有Lamp-LED、led TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 a)芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill)芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 b)扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜 进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片， 采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的 要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 d)备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上。备胶的效 率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 e)手工刺片 将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一 个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产 品. f)自动装架 自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤，先在led支架上点上银胶(绝缘胶)，然后用真空吸 嘴将led芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木 吸嘴，防止对led芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 g)烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间 2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小 时(或1小时)打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。 h)压焊 压焊的目的将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉 到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状，焊点形状，拉力。对压焊 工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢 嘴)选用、劈刀(钢嘴)运动轨迹等等。(下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构 上存在差别，从而影响着产品质量。)我们在这里不再累述。 i)点胶封装 LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型 ，选用结合良好的环氧和支架。(一般的LED无法通过气密性试验)如右图所示的TOP-LED和Side-LED适用点胶封装 。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED)，主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白 光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 j)灌胶封装 Lamp-led的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在led成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的led支架， 放入烘箱让环氧固化后，将led从模腔中脱出即成型。 k)模压封装 将压焊好的led支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液 压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个led成型槽中并固化。 l)固化与后固化 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 m)后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对led进行热老化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一 般条件为120℃，4小时。 n)切筋和划片 由于led在生产中是连在一起的(不是单个)，Lamp封装led采用切筋切断led支架的连筋。SMD-led则是在一片 PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 o)测试 测试led的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 p)包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。
