led芯片的种类及优缺点 , LED封装技术的结构类型

LED芯片按极性分类可分为：N/P，P/N。按发光部位分为表面发光型（光线大部分从芯片表面发出）和五面发光型（表面，侧面都有较多的光线射出）。如果按组成分可分为：二元、三元、四元LED芯片。所谓的二元、三元、四元LED

1、 功率型封装。发光二极管是应用的最多的。功率LED的封装形式的优点是粘结芯片的底腔大，同时领先饿镜面反射功能，导热系数好的同时足够低的热阻，让芯片中的热量被快速地引到器件外，使芯片与外环境的温差较低，并长期

(2)信赖性优良。(3)应用广泛。(4)安全性高。(5)寿命长。如何评判：led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、

特点:1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED2. 信赖性卓越3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高4.应用广泛定义:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于

LED芯片种类1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP。2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs。

2.台湾晶元：红蓝绿灯都比较好，目前市场上用的比较广，在价格上跟光磊差不多，但是后期维护成本低 3.士兰：产地杭州，蓝绿灯性价比高，目前常与红灯光磊或晶元搭配使用 4.三安：档次稍微低于台湾光磊晶元 5.路美：市面上

LED芯片普瑞的特点是功率集成芯片，一般都是用在泛光灯上，在面光源领域非常有优势。LED芯片科瑞的特点是点光源，品牌影响力大，流明，显指等平均表现很好。

led芯片的种类及优缺点

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂

LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压

1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源

LED芯片结构：（由下到上）1、Patternsapphiresubstrate(PSS)2、u-gan 3、n-gan 4、mqw 5、p-algan 6、p-gan 发光原理是：发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，在p型半导体和n型半导体之间有一

LED的结构是什么

LED发光原理 LED（Light Emitting Diode），即发光二极管。是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料。当两端加上正向电压，半导体中的少数截流子和多数截流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，直接

LED的发光原理是基于电致发光效应而实现的。当电流通过PN结，即由电子和空穴组成的结构时，它们会相互碰撞并且发生能量释放。这种能量释放会被传递到LED芯片中的半导体材料中，从而激发能量，产生了光。材料的重要性 材料对于LED

它的工作原理是将输入的电流转换成适合LED灯工作的电流和电压。具体来说，LED驱动芯片通常由两个部分组成：电源部分和控制部分。电源部分负责将输入的电压转换成适合LED灯工作的电压和电流，而控制部分则负责根据需要调整电流的

当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。led芯片特点：(1)四元

led发光原理：当电流通过晶片时，N型半导体内的电子与P型半导体内的空穴在发光层剧烈地碰撞复合产生光子，以光子的形式发出能量。Led灯是属于发光二极管，内部含有固态的半导体，能够将输入的半导体转变成为光能。另外，在led灯

LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压

简述最新高亮度蓝光LED芯片的结构和发光原理

LED封装方式有很多种，常用的方式有DIP封装、SMD封装、COB封装等。DIP封装较为落后，封装体积大，但价格便宜。SMD封装结构简单，封装高度低，适合小功率LED，但较难进行散热。COB封装是一种分布式封装技术，可以将多个芯片封装

1.传统的直插式小功率LED、流明式的大功率LED，都是透镜式封装的。LED发光的正面是类似半圆形的结构。2.为了简化封装工艺，目前很多贴片式的LED，都是直接用胶水把LED封装成平面式的结构。这一类型，统称为TOP LED。

1、引脚式（Lamp）LED封装；2、表面组装（贴片）式（SMT－LED）封装；3、板上芯片直装式（COB）LED封装；4、系统封装式（SiP）LED封装；5、晶片键合和芯片键合。

LED灯珠通常是以封装形式来分类的。一般可分为：直插式，SMD贴片式，大功率LED(它们功率及电流使用皆不相同，且光电参数相差甚巨,规格多样)。1、直插式小功率规格有：草帽/钢盔，圆头，内凹，椭圆，方型（2*3*4）子弹头

蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极

二、欧司朗led封装结构的类型 1、有根据发光颜色、芯片材料、发光亮度、尺寸大小等情况特征来分类的。2、单个管芯一般构成点光源，多个管芯组装一般可构成面光源和线光源，作信息、状态指示及显示用，发光显示器也是用多个管芯

LED封装技术的结构类型

LED（LightEmittingDiode，发光二极管）的基本结构是一块电致发光的半导体材料，其核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是

emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂

LED的结构：LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。发光原理：正向偏压

1.单元板 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个 LED发光点用树脂或者塑料封装起来点阵。2.电源电源一般使用的是开关电源

LED芯片结构：（由下到上）1、Patternsapphiresubstrate(PSS)2、u-gan 3、n-gan 4、mqw 5、p-algan 6、p-gan 发光原理是：发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，在p型半导体和n型半导体之间有一

LED的结构是什么

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附着LED灯株在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的 蓝光芯片的结构主要是：衬底 ——缓冲层——未掺杂的氮化镓——n型局限层——MQW——P型局限层——P型导电层——pn电极
当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
LED灯珠通常是以封装形式来分类的。一般可分为：直插式，SMD贴片式，大功率LED(它们功率及电流使用皆不相同，且光电参数相差甚巨,规格多样)。 1、直插式小功率规格有：草帽/钢盔，圆头，内凹，椭圆，方型（2*3*4）子弹头，平头，（3/5/平头/面包型）食人鱼等。 2、SMD贴片一般分为（3020/3528/5050这些是正面发光）/1016/1024等这些是侧面发光光源。 3、大功率LED，单颗大功率LED光源如未加散热底座（一般为六角形铝质座），它的外观与普通贴片无太大差距，大功率LED光源呈圆形，封装方式基本与SMD贴片相同，但与SMD贴片在使用条件/环境/效果等都有着本质上的区别。 现在市场上也出现了集成LED光源，也就是通常说的COB光源。COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，因此工序减少近三分之一，成本也节约了三分之一。COB光源可以简单理解为高功率集成面光源，可以根据产品外形结构设计光源的出光面积和外形尺寸。如下图
二、封装工艺 　　1. LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好led芯片，并且起到提高光取出效率的作用 　　。关键工序有装架、压焊、封装。 　　2. LED封装形式LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策 　　和出光效果。按封装形式分类有Lamp-LED、led TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 　　3. LED封装工艺流程 　　a)芯片检验 　　镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill)芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 　　b)扩片 　　由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜 　　进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 　　c)点胶 　　在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片， 　　采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。) 　　工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的 　　要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 　　d)备胶 　　和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在led背面电极上，然后把背部带银胶的led安装在led支架上。备胶的效 　　率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 　　e)手工刺片 　　将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一 　　个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产 　　品. 　　f)自动装架 　　自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤，先在led支架上点上银胶(绝缘胶)，然后用真空吸 　　嘴将led芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 　　自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木 　　吸嘴，防止对led芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 　　g)烧结 　　烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间 　　2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小 　　时(或1小时)打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。 　　h)压焊 　　压焊的目的将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 　　LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉 　　到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 　　压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状，焊点形状，拉力。对压焊 　　工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢 　　嘴)选用、劈刀(钢嘴)运动轨迹等等。(下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构 　　上存在差别，从而影响着产品质量。)我们在这里不再累述。 　　i)点胶封装 　　LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型 　　，选用结合良好的环氧和支架。(一般的LED无法通过气密性试验)如右图所示的TOP-LED和Side-LED适用点胶封装 　　。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED)，主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白 　　光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 　　j)灌胶封装 　　Lamp-led的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在led成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的led支架， 　　放入烘箱让环氧固化后，将led从模腔中脱出即成型。 　　k)模压封装 　　将压焊好的led支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液 　　压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个led成型槽中并固化。 　　l)固化与后固化 　　固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 　　m)后固化 　　后固化是为了让环氧充分固化，同时对led进行热老化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一 　　般条件为120℃，4小时。 　　n)切筋和划片 　　由于led在生产中是连在一起的(不是单个)，Lamp封装led采用切筋切断led支架的连筋。SMD-led则是在一片 　　PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 　　o)测试 　　测试led的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 　　p)包装 　　将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。
发光二极管(led)的简单解释。，LED灯是如何工作的，LED工作原理动画。原标题：Light Emitting Diode (LED) Working Principle原作者：Electrical4U侵删～
发光二极管(led)的简单解释。，LED灯是如何工作的，LED工作原理动画。原标题：Light Emitting Diode (LED) Working Principle原作者：Electrical4U侵删～
当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。对于一个真实的PN结型器件，通常P区的载流子浓度远大于N区，致使N区非平衡空穴的积累远大于P区的电子积累(对于NP结，情况正好相反)。由于电流注人产生的少数载流子是不稳定的，对于PN结系统，注人到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合，其中多余的能量将以光的形式向外辐射，这就是LED发光的基本原理。通常，禁带宽度越大，辐射出的能址越大，对应的光子具有较短的波长;反之，禁带宽度越小，辐射出的能量越小，对应的光子具有较长的波长。对于GaAsP, GaInAIP, InGaN, GaAIAs等半导体材料，其禁带宽度对应的发光波长恰好处于380-780nm的可见光区域，从而为LED的发展与应用奠定了广阔的空间。 LED器件的基本结构一般可归为两大类，一类是针对Gap,GaAsP, AIGaA，等传统型LED，通常采用液相外延或气相外延-r.艺在GaP或GaA。衬底上生长PN结或NP结型的简单结构，为提高发光强度，也有制成异质结构的。这类器件的衬底往往是PN结的一部分，或P型区，或N型区。因此，这类器件的衬底质量将直接影响着器件的电学与光电特性，掺杂浓度合适的衬底对提高外延层质量、减小串联电阻至关重要。衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率。这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。这类器件一般均通过MOCVD外延工艺制备，良好的衬底亦是整个外延工艺的基础，对于InGaA1P材料，通常采用GaAs材料作 衬底，当In的原子总含量为0.25时，InGaAIP材料的晶格常数将很好地与GaAs相匹配，可获得高质量的外延层。对于GaN基器件，由于获得GaN块晶材料困难，一般采用蓝宝石或sic作为外延衬底。结构的第二部分为布拉格反射区，对于InGaA1P器件，由于GaA。作衬底对红黄光的吸收很强，通常在衬底与发光区之间生长一个布拉格反射区，以便有效反射来自发光区的光辐射，从而改善了器件的出光性能。对于GaN基LED器件，由于蓝宝石或sic材料不存在对光的强烈吸收，因此一般可不加布拉格反射区。第三层为发光区，该区域是整个器件的核心，采用双异质结或量子阱结构能大幅度提高电光转换效率。最后一层是窗口区，通常该区域的材料具有较大的禁带宽度，能有效透过来自发光区的光辐射。其次.窗口区材料应具有较高的载流子浓度、低的电阻率，以便实现较好的电流扩展，让工作电流能均匀地流过整个PN结区。 为了进一步提高发光效率与耗散功率，许多新型结构的LED器件正在开发中，最典型的有GaP透明衬底、金属膜反射、截角倒锥体、表面纹理等结构。
LED灯是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳
定义：MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品特点：1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.Thermal ConductivityGaAs: 46 W/m-KGaP: 77 W/m-KSi: 125 ～ 150 W/m-KCupper:300~400 W/m-kSiC: 490 W/m-K2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB 定义：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品特点： 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极TS芯片定义和特点定义：TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。特点：1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED2. 信赖性卓越3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高4.应用广泛定义：AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮2. 信赖性优良3. 应用广泛 1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
对这个i不是很熟悉。 我说一下我们使用的芯片比较多的吧； 高档产品：科瑞芯片 欧司朗 中高档：普瑞45 晶元45 普通的 ：光宏40 晶元35 低档：光宏不足瓦 还有些不上档次的垃圾芯片 你可以去百度看看 越差的芯片价格越便宜