负向电压就是发光二极管的反向击穿电压，就是发光二极管接反后，超过这个电压可能会烧坏！有时给LED供电的电路是交流电，这时就要注意负向电压！一般在直流电工作中，发光二极管的负向电压可以忽略不管！上图中，发光二极管反接
VR V代表电压。I代表电流。F代表顺向。R代表反向 所以VR=反向电压。VF=正向电压。IF=正向电流。IR=反向电流
一般最大几十伏），超过反向耐压，led一样被击穿烧坏。解决途径有两个：一是提高反向耐压，建议你采取正向串联一个高耐压二极管的做法（如图1）；二是限制反向电压的升高，建议你采取反向并联一个二极管的做法（如图2）；
● 如果是恒流源供电的驱动器，由于电流是恒定的，电压的些许变化，不会影响LED的工作电流的。● LED的反向耐压是较低的，LED的反向电压一般不要超过10V，最大不得超过15V。超过这个电压，就会出现反向击穿，导致LED报废。
反向击穿电压：对二极管施加反向电压时，当PN结发生齐纳或雪崩击穿、并且反向电流达到规定的数值时，此时对应的电压就叫反向击穿电压。LED通常不会使用在有反向电压出现的场合，所以芯片厂商就忽略了反向击穿电压这个参数。他们只考
PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管
LED的反向电压
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。红色发光二极管的工作电压最低，约1.6-1.7V；其次是普绿色、黄色，1.7-1.8V；白色1.8-1
发光二极管的反向电压应该是——直流3.5V.4V5V.8V12V的。
常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。限流电阻R可用下式计算：R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向
发光二极管本质上就是一个pn结，只是它都是用高掺杂半导体制造的，因此它的反向击穿电压一般都比较低，所以其反向电压不可能很高。如果在测量反向电压时，不串联一个较大的电阻来限制电流的话，那么必将会烧毁发光管。发光管
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。
发光二极管的反向击穿电压大于5伏。发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强
红色发光二极管的工作电压最低，约1.6-1.7V；其次是普绿色、黄色，1.7-1.8V；白色1.8-1.9V；橙色1.8V-2.4V；蓝、白、翠绿电压范围：2.8V-3.5V。发光二极管的反向耐压只有借助兆欧表和万能表测量。将二极管反
发光二极管的反向击穿电压是多少
问题四：什么是反向电压？ LED灯的内部和普通二极管一样有一个“PN结”。P侧电位高于N侧电位，称为“正向电压”，二极管导通。如果P侧电位低于N侧电位，称为“反向电压”。反向电压过高会导致PN结击穿损坏。问题五：二极管
只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。反向电压保护电路由衬底电压保护电路和栅极电压保护电路组成。
PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同
LED的正极电压为5V，负极电压为6.8V，为反偏置状态，不会流过电流，它当然不会亮。正常情况下，LED的正极电压要高于负极电压到LED能够开通的程度，LED才会有电流流过并发光。红色、绿色的LED的开通电压大约1.6-1.7V，
没有绝对的绝缘体，PN结处于反偏时，仍然会有少数载流子受热振动漂移，在电场作用下会形成电流，但是非常小，该参数受温度影响非常大，在不断加大反向电压情况下，会发生电击穿，此时二极管失去单向导电性。在衡量二极管的性能时
呵呵，led就是一个发光二极管，它具有二极管的所有特性，但由于制作材料不同，led的反向耐压很难做的很高（一般最大几十伏），超过反向耐压，led一样被击穿烧坏。解决途径有两个：一是提高反向耐压，建议你采取正向串联一个
LED通常不会使用在有反向电压出现的场合，所以芯片厂商就忽略了反向击穿电压这个参数。他们只考虑到漏电对发光和芯片质量的影响。而漏电通过正向施压是无法区分的。故采用反向的方法来测试。由于LED的正向电压通常小于4V，所以反向
什么影响LED的反向电压呢?
额定电流约20mA。2、贴片LED压降 红:1.82-1.88V，电流5-8mA 绿:1.75-1.82V，3-5mA 橙:1.7-1.8V，3-5mA 兰:3.1-3.3V，8-10mA 白:3-3.2V，10-15mA。在发光二极管导通起始点，都会产生一段电压的
注：1W亮度为60-110lm；3W亮度最高可达240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并联封装，主要看多少电流，电压，几串几并。LED透镜：一次透镜一般用PMMA、PC、光学玻璃、硅胶（软硅胶，硬硅胶）等材料。角度越大出光效率越高，
大功率白光LED（比如CREE的XML-T6）单颗功率已经达到10W，电压3.3v电流3A，小功率红光LED（比如常见的5MM直插）电压2v，电流15毫安 。可以按照光色推断工作电压：1、红光1.8~2.2v 2、黄光2.0~2.4v 3、绿光2.2~2
工作电流：工作电流在1-20mA，亮度随电流的增大而变亮.正向压降： 大多数在1.7-2V左右。插排的电压是220V，若用这种LED作指示灯，有1-2mA的电流亮度已经足够了，串联的限流电阻的功率也可以尽量小一些。另外建议，在220V
大功率LED灯珠最大电流,工作电流,导通压降,反向击穿电压
说白了LED是发光二极管，是二极管的一个分支，它符合二极管的伏安特性。它的电压就是压降，导通以后，此电压是基本不变的。发光亮度是由电流来决定的。它所标定的电流值是最大值，电流超过以后会因过热而损坏。所以不能用欧姆定律来解释。峰值电流：由于某种特殊情况，二极管可以承受的瞬间最大正向冲击电流； 反向击穿电压：二极管反向能够承受的最大电压； 正向压降：二极管在通过额定电流的情况下，它的正向两端电压； 正向电流：就是二极管正向流过的电流，要注意正向平均可持续电流，一般选用时不要超过这个值，超过为过载，容易烧坏； 它的工作电压多少应该就是0.7V--反向击穿电压之间，不过最高值应该留有余量，比如这里是40V，一般使用小于40V的3/4=30V（留1/3余量，以防万一）。
呵呵，led就是一个发光二极管，它具有二极管的所有特性，但由于制作材料不同，led的反向耐压很难做的很高（一般最大几十伏），超过反向耐压，led一样被击穿烧坏。 解决途径有两个： 一是提高反向耐压，建议你采取正向串联一个高耐压二极管的做法（如图1）； 二是限制反向电压的升高，建议你采取反向并联一个二极管的做法（如图2）；
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护.
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护.
发光二极管本质上就是一个pn结，只是它都是用高掺杂半导体制造的，因此它的反向击穿电压一般都比较低，所以其反向电压不可能很高。 如果在测量反向电压时，不串联一个较大的电阻来限制电流的话，那么必将会烧毁发光管。 发光管工作时加的是正向电压，并且较低；主要是通过一定的电流来让其发光（注入非平衡载流子，然后复合发光）。
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护.
要分清楚两个概念——反向电压和反向击穿电压。 反向电压：只要对二极管施加反向的电压就叫反向电压。一般反向电压没有数值定义。无论电压多大，只要是反向的，就是反向电压。 反向击穿电压：对二极管施加反向电压时，当PN结发生齐纳或雪崩击穿、并且反向电流达到规定的数值时，此时对应的电压就叫反向击穿电压。 LED通常不会使用在有反向电压出现的场合，所以芯片厂商就忽略了反向击穿电压这个参数。他们只考虑到漏电对发光和芯片质量的影响。而漏电通过正向施压是无法区分的。故采用反向的方法来测试。由于LED的正向电压通常小于4V，所以反向测试电压只要略大于正向电压就可以了。所以业界规定用5V电压。这个5V电压绝不是指反向击穿电压。而仅仅是用来测试漏电的、人为规定一个条件值。比如说，测试红、黄光LED，这个条件规定到4V也是合理的。 不同光色LED的反向击穿电压是不同的，差异也是很大的。一般而言，蓝光芯片的反向击穿电压可以大于15V，好的可以到30V以上。有些红、黄光LED的反向击穿电压可以达到百伏以上。 另外，现在很多LED封装时都加有齐纳管，齐纳管钳位了LED芯片的反向电压。这种封装的LED要测试LED芯片的反向击穿电压就不可能了。所以，如果客户要求反向电压要高的，一方面要选用反向击穿电压高的芯片，另一方面不能并接齐纳管。 影响反向击穿电压的因素，一方面是芯片生产工艺，另一方面是沾污。工艺不良和沾污，都会导致漏电。很多封装厂的洁净度不够，容易因沾污导致漏电。很多人将此误认为是静电原因。如果是学过半导体器件制造或做过半导体芯片制造的人，就知道沾污影响的重要性。洁净度是半导体芯片制造的一个关键因素。没有洁净度保证，制造半导体芯片无从谈起。芯片封装也是需要一定的洁净度保证的。
